SK hynix 介紹
公司簡介
SK海力士，前身為1983年成立的現代電子產業株式會社，1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年從現代集團分離出來，更名為(株)海力士半導體。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器制造商。
SK海力士致力于生產以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導體產品。目前在韓國有1條8英寸晶圓生產線和2條12英寸生產線，在中國無錫有一條12英寸生產線。SK海力士是世界第二大DRAM制造商，并于2007年成長為世界第六大半導體企業。目前在世界各地設有銷售法人和辦事處。SK海力士穩固地立足于以DRAM和閃存為主的半導體存儲器領域，通過產品種類多樣化，包括涉足CIS商業領域等策略，正逐步成長為綜合性的半導體設備供應商。
公司歷程
1980's
1983.02
- 創立現代電子株式會社
1990's
1996.12
- 公司股票上市
1999.10
- 合并LG半導體，成立現代半導體株式會社
2000's
2001.03
- 公司更名為(株)海力士半導體
2001.08
- 完成與現代集團的最終剝離
2003.04
- 宣布與STMicroelectronics公司簽定合作生產NAND閃存的協議
2003.12
- 宣布與茂德科技簽署長期的戰略性MOU
2004.07
- 獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤
2005.07
- 提前終止企業重組完善協議
2006.10
- 海力士-意法半導體竣工（無錫工廠）
2007.04
- 在韓國清州動土建造300mm fab
2007.03
- 任命Jong-Kap Kim作為新會長及執行總裁
2007.12
- 成功發行約6億美元大規模海外債券
2008.05
- 宣布與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約
2008.08
- 清州300mm專用第3工場竣工
2009.02
- 成功開發世界頂尖44nmDDR3 DRAM
2010's
2010.06
- 中國海太半導體封裝測試項目竣工
2010.09
- 入選道瓊斯可持續發展世界指數
2011.07
- 與東芝簽署MRAM聯合開發協議
2012.02
- SK電訊收購海力士
2012.05
- 公司名稱正式變更為SK海力士株式會社
2012.06
- 清州建立M12工廠
- 收購 Ideaflash S.r.l , 于歐洲建立閃存研發中心
- 與IBM簽署聯合開發PCRAM的協議
2013.02
- 樸星昱代表理事（CEO）就任
2013.11
- 建立16nm Nand Flash 量產體系
2013.12
- 成功開發世界最初的20nm LPDDR4
2014.01
- 2013年度經營業績創新高
2014.04
- 成功開發世界最初的128GB DDR4 Module
